Диодная матрица 2ДС627А

Кремниевая эпитаксиально-планарная диодная матрица 2ДС627А
дР3.454.000 ТУ (ВП).

Кремниевая эпитаксиально-планарная импульсная диодная матрица полупроводниковая 2ДС627А предназначена для работы в аппаратуре специального назначения. Изготавливаются в металлокерамическом корпусе 401.16-3.

Технические характеристики:
Постоянный обратный ток при Uобр=50 В, мкА - не более 2,0;
Постоянное прямое напряжение при Iпр=200 мА, В - от 0,85 до 1,15;
Время обратного восстановления диода ДМП при Iпр=200 мА, Uобр,и=20 В, Iобр.отсч=10 мА, RΣ=1 кОм, нс - не более 40;
Общая емкость диода ДМП при Uобр=0, пФ - не более 5,0;
Постоянный обратный ток при Uобр=50 В, мкА - не более 2,0.