2ТС622А Транзисторная матрица

В наличии

Артикул: 2ТС622А

Транзисторная кремниевая матрица 2ТС622А
И93.456.001 ТУ (ВП), И93.456.001ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ (ОС).

Кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n транзисторные матрицы 2ТС622А изготавливаются в металлостеклянном корпусе и предназначены для работы в аппаратуре специального назначения.

Технические характеристики:
Тип корпуса - 401.14-6;
Статистический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттеров, от 25 до 150;
Обратный ток коллектора, мкА - не более 10;
Обратный ток эмиттера, мкА - не более 20;
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В - не более 1,3;
Напряжение насыщения база-эмиттер, В - не более 2,2;
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте - не менее 2;
Гарантийный срок хранения, лет - 25;
Гарантийная наработка:
- 80 000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
- 135 000 часов - в облегчённом режиме.

По запросу

Задать вопрос Купить